晶振的频率单位MHz是1,000,000Hz（一百万赫兹），不是1024×1024Hz。
（只有计算机中的bit、Byte是以1024为k的基本单元）

频率稳定度（ppm:pulse per million，百万分之1次），描述了晶振的精度。


选取晶振的时候，首先要对应STM32的HSE的晶振频率范围。
然后，配上晶振的配置电容。
最后，判断是否加入Rext。

配置电容的计算过程为：
配置电容C1=C2=2*(CL - CS)
CL：负载电容（与晶振商品配套的电容）；
CS：杂散电容，一般为3pF到5pF。
也就是：负载电容=配置电容/2+杂散电容
原理公式为：
CL(C Load Cap)=C1*C2/(C1+C2)+CS(C Stray Cap)

晶振的驱动电平指的是晶振正常工作时所需的功率。STM32的单片机电路中，Rext 的主要作用是限制晶振的驱动电平，防止晶振烧坏或者起振过低。
Rext的计算过程为：
1）计算晶振的驱动电流（IOSC）
由公式：PDL=IOSC2*ESR
PDL为晶振驱动电平（也就是激励电平），对应规格说明书中的DL，单位为μW。计算过程以典型值为计算基础。
ESR为晶振的等效电阻
可以计算得到IOSC为晶振的最大电流，从而得到VOSC
2）计算Rext
Rext=(VDD-VOSC)/IOSC


晶振的规格说明书中说明的负载电容为多个值，对应同一型号的不同批次的商品，比如：10pF、20pF。
因为，晶振的负载电容要以每个贴片的最终的检测结果为准，并以此作为参数分批商品。
晶振的频率也以最终的商品检测结果为分类进行分批
规格说明书上的多个值的晶振只做统一的类型标写